Parece una pequeña pieza de película transparente con pequeños grabados, y es lo suficientemente flexible como para doblarse en un tubo. Sin embargo, esta pieza de plástico "inteligente" demuestra un excelente rendimiento en términos de almacenamiento de datos y capacidades de procesamiento.Un invento novedoso, desarrollado por investigadores de la Universidad Nacional de Singapur NUS, celebra un avance en la revolución de la electrónica flexible, y acerca a los investigadores un paso más cerca de hacer realidad la electrónica flexible y portátil en el futuro cercano.
El avance tecnológico se logra en colaboración con investigadores de la Universidad de Yonsei, la Universidad de Gante y el Instituto de Investigación e Ingeniería de Materiales de Singapur. El equipo de investigación ha incrustado con éxito un potente chip de memoria magnética en un material plástico flexible, y este chip de memoria maleable seráun componente crítico para el diseño y desarrollo de dispositivos flexibles y livianos. Estos dispositivos tienen un gran potencial en aplicaciones tales como automotriz, electrónica de atención médica, control industrial de motores y robótica, administración industrial de energía y energía, así como sistemas militares y de aviónica.
El equipo de investigación, dirigido por el profesor asociado Yang Hyunsoo del Departamento de Ingeniería Eléctrica e Informática de la Facultad de Ingeniería de NUS, publicó sus hallazgos en la revista Materiales avanzados el 6 de julio de 2016.
dispositivos de memoria flexibles de alto rendimiento, un habilitador clave para electrónica flexible
La electrónica flexible se ha convertido en un tema de investigación activa en los últimos tiempos. En particular, los dispositivos de memoria magnética flexible han atraído mucha atención ya que son el componente fundamental requerido para el almacenamiento y procesamiento de datos en dispositivos electrónicos y dispositivos biomédicos portátiles, que requieren variosfunciones como comunicación inalámbrica, almacenamiento de información y procesamiento de código.
Aunque se ha realizado una cantidad considerable de investigación sobre diferentes tipos de chips y materiales de memoria, todavía existen desafíos importantes en la fabricación de chips de memoria de alto rendimiento en sustratos blandos que son flexibles, sin sacrificar el rendimiento.
Para abordar los desafíos tecnológicos actuales, el equipo de investigación, dirigido por Assoc Prof Yang, desarrolló una técnica novedosa para implantar un chip de memoria magnética de alto rendimiento en una superficie de plástico flexible.
El novedoso dispositivo funciona con memoria de acceso aleatorio magnetorresistivo MRAM, que utiliza una unión de túnel magnético MTJ basado en óxido de magnesio MgO para almacenar datos. MRAM supera los chips de computadora de memoria de acceso aleatorio RAM convencionales en muchos aspectos,incluida la capacidad de retener datos después de que se corta la fuente de alimentación, la alta velocidad de procesamiento y el bajo consumo de energía.
Técnica novedosa para implantar el chip MRAM en una superficie de plástico flexible
El equipo de investigación primero cultivó el MTJ basado en MgO en una superficie de silicio, y luego eliminó el silicio subyacente. Utilizando un enfoque de impresión por transferencia, el equipo implantó el chip de memoria magnética en una superficie plástica flexible hecha de tereftalato de polietileno mientras controlabala cantidad de tensión causada al colocar el chip de memoria en la superficie de plástico.
El profesor asociado Yang dijo: "Nuestros experimentos demostraron que la magnetorresistencia de tunelado de nuestro dispositivo podría alcanzar hasta un 300 por ciento, es como un automóvil que tiene niveles extraordinarios de potencia. También hemos logrado lograr una brusquedad mejorada en el cambio. Con todo esto mejoradocaracterísticas, el chip magnético flexible es capaz de transferir datos más rápido ".
Comentando sobre la importancia del avance, el profesor Assoc Yang dijo: "La electrónica flexible se convertirá en la norma en un futuro próximo, y todos los componentes electrónicos nuevos deberían ser compatibles con la electrónica flexible. Somos el primer equipo en fabricar memoria magnética en unsuperficie flexible, y este hito significativo nos da el ímpetu para mejorar aún más el rendimiento de los dispositivos de memoria flexible y contribuir a la revolución de la electrónica flexible ".
El Profesor Assoc Yang y su equipo obtuvieron recientemente patentes de Estados Unidos y Corea del Sur por su tecnología. Están realizando experimentos para mejorar la magnetorresistencia del dispositivo ajustando el nivel de tensión en su estructura magnética, y también están planeandopara aplicar su técnica en varios otros componentes electrónicos. El equipo también está interesado en trabajar con socios de la industria para explorar más aplicaciones de esta nueva tecnología.
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Materiales proporcionado por Universidad Nacional de Singapur . Nota: El contenido puede ser editado por estilo y longitud.
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